1、在應用層面根據電壓等級劃分
(1)低壓IGBT:指電壓等級在1000V以內的IGBT器件,例如常見的650V應用于新能源汽車、家電、工業變頻等領域。
(2)中壓IGBT:指電壓等級在1000-1700V區間的IGBT器件,如1200V應用于光伏、電磁爐、家電、焊機、工業變頻器和新能源汽車領域,1700V應用于光伏和風電領域。
(3)高壓IGBT:指電壓等級3300V及以上的IGBT器件,比如3300V和6500V應用于高鐵、動車、智能電網,以及工業電機等領域。
2、在產品層面根據封裝方式劃分
(1)IGBT單管:封裝規模較小,一般指封裝單顆IGBT芯片,電流通常在50A以下,適用于消費、工業家電領域。
(2)IGBT模塊:IGBT最常見的形式,是將多個IGBT芯片集成封裝在一起,功率更大、散熱能力更強,適用于高壓大功率平臺,如新能源車、光伏、高鐵等。
(3)功率集成(IPM):指把IGBT模塊加上散熱器、電容等外圍組件,組成一個功能較為完整和復雜的智能功率模塊。
3、根據是否具有N 緩沖層劃分
(1)穿通IGBT:又稱PT-IGBT、非對稱IGBT,在發射極接觸處具有N 區,具有不對稱的電壓阻斷能力,即正向和反向擊穿電壓不同。非對稱IGBT的反向擊穿電壓小于其正向擊穿電壓,同時具有更快的切換速度。穿通IGBT是單向的,不能處理反向電壓。因此,它們被用于逆變器和斬波器電路等直流電路中。
(2)非穿通IGBT:又稱NPT-IGBT、對稱IGBT,它沒有由發射極接觸額外的N 區域,結構的對稱性提供了對稱的擊穿電壓特性,即正向和反向擊穿電壓相等。由于這個原因,它們被用于交流電路。
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